拓荊科技股份有限公司

呂光泉先生:1965年出生，博士學歷，1994年8月至1996年4月，任美國科學基金會尖端電子材料研究中心電子材料副研究員;1996年4月至2007年7月，就職於美國諾發，歷任高級工程師、PECVD工藝研發部經理、項目主任兼工藝研發高級經理、ALD技術高級經理;2007年7月至2014年8月，就職於德國愛思強公司美國SSTS部，歷任ALD設備研發及工程設計高級主任、工程技術副總裁。2014年9月至今，就職於公司(及前身拓荊有限)，歷任技術總監、總經理、董事，現任公司董事長。

姜謙先生:1952年出生，博士學歷，1982年1月至1984年6月，任麻省理工學院材料科學工程中心研究員;1984年7月至2003年5月，就職於英特爾公司，歷任金屬刻蝕工藝工程師、新電介質材料研究員、Cu結合與低k電解質、等離子體研究項目經理，互聯研究部門經理、新型穩定性存儲器研發項目經理;2003年6月至2005年10月，任美國諾發研發副總裁;2006年4月至2010年3月，任欣欣科技(沈陽)有限公司執行董事。2010年4月至今，就職於公司(及前身拓荊有限)，歷任總經理、董事長，現任公司董事。

楊卓先生：1986年出生，經濟學碩士，高級經濟師。2009年加入國家開發銀行深圳市分行，歷任評審處副處長、客戶五處處長。2023年加入華芯投資管理有限責任公司，任投資三部總經理。

楊柳先生:1979年出生，碩士學歷，2004年4月至2009年12月，就職於應用材料公司，任技術工程師;2009年12月至2010年5月，就職於大族激光，任工藝總監;2010年10月至2014年3月，就職於中廣核太陽能開發有限公司，歷任產業投資項目經理兼科技委辦公室主任、投資管理高級經理;2014年3月至2021年3月，就職於國開金融，歷任高級經理、總經理助理、資深副經理;2021年4月至今，就職於華芯投資，任資深經理。2021年12月至今，任拓荊科技股份有限公司董事。

齊雷先生:1979年1月出生，畢業於中國人民解放軍信息工程大學計算機科學與技術專業，碩士研究生學歷。2009年9月至2016年11月，歷任中國國投高新產業投資有限公司投資經理、高級投資經理;2016年12月至今，歷任國投創業投資管理有限公司投資總監、執行總經理;2018年1月至今，任富創有限/富創精密董事。

GERALD ZHEYAO YIN(尹誌堯)先生:1944年出生，曾任英特爾中心技術開發部工藝工程師，泛林半導體研發部資深工程師、研發部資深經理，應用材料等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官。2004年至今，擔任中微半導體設備(上海)股份有限公司董事長及總經理。2019年3月起任瀾起科技獨立董事。

吳漢明先生:1952年6月出生，微電子技術專家，2019年當選中國工程院院士，現任浙江大學微納電子學院院長，中國科學技術大學國家示範性微電子學院院長，浙江創芯集成電路有限公司董事長，睿力集成電路有限公司獨立董事，比亞迪半導體股份有限公司獨立董事，拓荊科技股份有限公司(688072.SH)獨立董事，以及北方華創科技集團股份有限公司(002371.SZ)獨立董事。吳院士自1999年9月至2001年8月擔任美國英特爾公司高級工程師，自2001年8月至2018年10月歷任中芯國際集成電路制造有限公司研發部技術總監、副總裁及顧問，自2017年10月至2021年2月擔任芯創智創新設計服務中心(寧波)有限公司執行董事。吳院士長期工作在中國集成電路產業並做出突出貢獻。吳院士發表著作論文116篇，獲授權發明專利67項。吳院士被評為首屆“北京學者”，榮獲“十佳全國優秀科技工作者”、“全國傑出專業技術人才”等稱號。他亦曾任中國半導體技術國際會議(CSTIC)大會主席。吳院士於1987年獲中國科學院力學研究所博士學位。

黃宏彬先生:1971年10月出生，碩士學歷，1994年開始參加工作，曾任上海萬國證券公司稽核總部經理，上海證券交易所市場監察部副總監、公司管理部副總監、發行上市部副總監，金浦產業投資基金管理有限公司董事總經理，京通智匯資產管理有限公司總經理，金圓國際有限公司總經理，本公司董事。現任上海斐君投資管理中心(有限合夥)創始合夥人，天合光能股份有限公司、拓荊科技股份有限公司獨立董事等職務。已於2022年1月13日辭去公司董事及董事會審計委員會職務，辭職後其不再擔任公司任何職務。

趙國慶先生:1979年10月出生，博士學歷，中國註冊會計師。2002年8月至2012年6月，就職於南京市江寧地方稅務局;2012年6月至2015年5月，任國家稅務總局稅務幹部學院副教授;2015年5月至2019年7月，任中匯江蘇稅務師事務所有限公司合夥人;2019年7月至今，任上海易宏人力資源服務有限公司業務總監。2020年8月至今，任公司獨立董事。